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NZQA5V6XV5T1G Series
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c ? t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
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t, TIME ( m s)
Figure 1. Pulse Waveform
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T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Power Derating Curve
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NZQA6V2XV5T1
NZQA6V8XV5T1
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5.3
5.6
5.9
6.2
6.5
6.8
7.1
I PP , PEAK PULSE CURRENT (A)
Figure 3. Clamping Voltage versus
Peak Pulse Current
http://onsemi.com
3
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (V)
Figure 4. Typical Capacitance
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NZSMB30CAT3 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
NZSMB30CAT3G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMA TVS CLP 400W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
NZT44H8 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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